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長(zhǎng)光華芯完成B輪1.5億融資,加強(qiáng)VCSEL激光雷達(dá)芯片研發(fā)及量產(chǎn)

2018-08-02 06:53 性質(zhì):轉(zhuǎn)載 作者:MEMS 來(lái)源:MEMS
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最新消息,2018年7月,長(zhǎng)光華芯順利完成1.5億元B輪融資,本輪融資的投資方為:國(guó)投創(chuàng)業(yè)、中科院創(chuàng)投、蘇州橙芯創(chuàng)投。長(zhǎng)光華芯自2012年成立以來(lái)一直致力于高功率半導(dǎo)體激光器芯片及相關(guān)光...

最新消息,2018年7月,長(zhǎng)光華芯順利完成1.5億元B輪融資,本輪融資的投資方為:國(guó)投創(chuàng)業(yè)、中科院創(chuàng)投、蘇州橙芯創(chuàng)投。


長(zhǎng)光華芯自2012年成立以來(lái)一直致力于高功率半導(dǎo)體激光器芯片及相關(guān)光電器件和應(yīng)用系統(tǒng)的研發(fā)生產(chǎn)和銷售,擁有從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合、激光系統(tǒng)等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線,是全球少數(shù)幾家、國(guó)內(nèi)唯一一家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的公司,長(zhǎng)光華芯在高功率半導(dǎo)體激光器芯片方面率先打破長(zhǎng)期依賴進(jìn)口“有器無(wú)芯”的局面。

本輪融資將主要圍繞長(zhǎng)光華芯主營(yíng)業(yè)務(wù)戰(zhàn)略建設(shè)如下項(xiàng)目:

- 高功率半導(dǎo)體激光芯片和模塊產(chǎn)能提升5-10倍;

- VCSEL激光雷達(dá)芯片研發(fā)及量產(chǎn);

- 直接半導(dǎo)體激光器量產(chǎn)及應(yīng)用。

加之2018年3月公司與高新區(qū)簽署協(xié)議共建半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院,建設(shè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體激光研發(fā)平臺(tái),至本輪融資順利完成,長(zhǎng)光華芯的“一平臺(tái),一支點(diǎn),橫向擴(kuò)展,縱向延伸”戰(zhàn)略布局全部完成。

高功率半導(dǎo)體激光芯片和模塊產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目

長(zhǎng)光華芯已攻克包含外延生長(zhǎng)技術(shù)、腔面鈍化技術(shù)、器件制作和高能合束耦合等方面的多個(gè)技術(shù)難題,公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品,在功率、亮度、光電轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次突破,獲多項(xiàng)專利,與國(guó)際一流水平同步。

長(zhǎng)光華芯激光芯片

長(zhǎng)光華芯自主研發(fā)的高功率915nm激光芯片,發(fā)光區(qū)寬度為90μm,轉(zhuǎn)換效率高達(dá)65%,芯片輸出功率等指標(biāo)與國(guó)際一流水平同步,具有轉(zhuǎn)換效率高,長(zhǎng)壽命等特點(diǎn),現(xiàn)已累計(jì)銷售芯片超過(guò)200萬(wàn)片,是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的公司。


長(zhǎng)光華芯光纖耦合模塊

長(zhǎng)光華芯915nm模塊和976nm模塊采用自主研發(fā)的高可靠性激光芯片,具有光譜質(zhì)量好,波長(zhǎng)隨溫度漂移范圍可控的特點(diǎn),其中976nm模塊光纖激光器光光轉(zhuǎn)換效率可達(dá)85%,大幅節(jié)省有源光纖,方案經(jīng)過(guò)批量驗(yàn)證,應(yīng)用于高功率光纖激光器已無(wú)技術(shù)障礙,是高功率光纖激光器理想泵浦源。


目前長(zhǎng)光華芯產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:工業(yè)激光器泵浦、激光先進(jìn)制造裝備、生物醫(yī)學(xué)美容、高速光通信、機(jī)器視覺與傳感、國(guó)防建設(shè)等。產(chǎn)品經(jīng)多年經(jīng)營(yíng)已獲得客戶認(rèn)可,915nm芯片、915nm模塊、976nm模塊等更是引領(lǐng)了市場(chǎng)方向,隨著產(chǎn)品在市場(chǎng)上得到越來(lái)越多的認(rèn)可和肯定,長(zhǎng)光華芯客戶需求和訂單持續(xù)處于急速上升趨勢(shì),通過(guò)本輪融資,長(zhǎng)光華芯將對(duì)高功率激光芯片及光纖耦合模塊進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充,將產(chǎn)能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升5-10倍,形成長(zhǎng)光華芯發(fā)展的一個(gè)強(qiáng)有力的“支點(diǎn)”,以滿足客戶需求。


VCSEL激光雷達(dá)芯片研發(fā)和量產(chǎn)項(xiàng)目


媒體在長(zhǎng)光華芯展臺(tái)介紹VCSEL芯片


2018年2月,長(zhǎng)光華芯成立了VCSEL事業(yè)部,“橫向擴(kuò)展”,先后引進(jìn)多位行業(yè)資深專家,組建專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì),開設(shè)6’晶圓生產(chǎn)線,增加MOCVD晶圓生長(zhǎng)爐、步進(jìn)光刻機(jī)等量產(chǎn)設(shè)備,加緊研發(fā)項(xiàng)目和量產(chǎn)產(chǎn)線布局,以應(yīng)對(duì)消費(fèi)和工業(yè)市場(chǎng)呈爆發(fā)式增長(zhǎng)的需求,緩解我國(guó)VCSEL激光器芯片的緊缺問(wèn)題。基于公司成熟的高功率半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)平臺(tái),公司在開展VCSEL芯片的研發(fā)工作時(shí)進(jìn)展迅速,在短短不到6個(gè)月的時(shí)間里就已經(jīng)攻克了材料外延生產(chǎn)的精確控制、穩(wěn)定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題。目前長(zhǎng)光華芯的VCSEL芯片已通過(guò)小批量試產(chǎn),進(jìn)入送樣和客戶驗(yàn)證階段。


直接半導(dǎo)體激光器量產(chǎn)及應(yīng)用項(xiàng)目


激光系統(tǒng)事業(yè)部系列產(chǎn)品


長(zhǎng)光華芯是國(guó)內(nèi)最早立項(xiàng),并量產(chǎn)和銷售直接半導(dǎo)體激光系統(tǒng)的公司之一,自2012年以來(lái),長(zhǎng)光華芯通過(guò)承擔(dān)國(guó)家項(xiàng)目和多家工業(yè)客戶的驗(yàn)證,已經(jīng)打造了直接半導(dǎo)體激光系統(tǒng)品牌,2018年5月,公司專項(xiàng)成立了激光系統(tǒng)事業(yè)部,“縱向延伸”,事業(yè)部的成立旨在為工業(yè)激光材料加工領(lǐng)域提供具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)、高性價(jià)比的產(chǎn)品解決方案,推進(jìn)國(guó)內(nèi)直接半導(dǎo)體激光器工業(yè)應(yīng)用進(jìn)程。今年10月,長(zhǎng)光華芯將攜新一代直接半導(dǎo)體激光器系列產(chǎn)品亮相深圳“華南國(guó)際先進(jìn)電子、智能制造及激光技術(shù)博覽會(huì)”。


長(zhǎng)光華芯與蘇州高新區(qū)共建半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院


半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院簽約儀式


2018年3月,蘇州高新區(qū)政府與長(zhǎng)光華芯在上海簽署協(xié)議,宣布雙方在蘇州高新區(qū)共建半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院,總投資5億元,建設(shè)國(guó)內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)平臺(tái),充分利用長(zhǎng)光華芯已有的高功率半導(dǎo)體激光芯片優(yōu)勢(shì),并拓展激光3D傳感芯片(含VCSEL),高速光通信芯片,激光照明,激光顯示等方向和領(lǐng)域。


半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院效果圖


半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院包含研發(fā)大樓、辦公大樓、生產(chǎn)工藝大樓等設(shè)施,總占地面積將近五萬(wàn)平方米,目前研究院已動(dòng)工建設(shè),預(yù)計(jì)將在2019年投入使用。研究院的建設(shè),將大大提升公司的研發(fā)能力和可持續(xù)發(fā)展能力,同時(shí)也為公司在高速發(fā)展時(shí)期擴(kuò)產(chǎn)等需求提供了更大的物理空間。

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