人類文明的進(jìn)步，只要出現(xiàn)難以逾越的障礙，必然給人類的發(fā)展帶來迷茫和災(zāi)難。而解決的路徑只有一個：科技探索和創(chuàng)新。只有鼎力進(jìn)行中的科技探索，能促使人類放棄相互之間的成見，攜手團(tuán)結(jié)，共創(chuàng)光明的未來。

筆者在本文中提出如下35種顛覆性技術(shù)，如果一旦有所突破，必然會給人類帶來新的希望。相信在不遠(yuǎn)的將來，會逐步出現(xiàn)一些科技創(chuàng)新的突破，使這些技術(shù)付諸使用，并對人類文明的發(fā)展帶來驚人的顛覆性改變。

這35種科學(xué)理論和技術(shù)是：1.勢壘波能發(fā)動機(jī)（空天機(jī)專用）簡介：以mm級磁屏為磁能勢壘，對ug級為起點(diǎn)的動能在通屏?xí)r，產(chǎn)生逆熵效應(yīng)，以分子波的形式與磁屏產(chǎn)生增益80萬倍的反作用力，推動飛行器運(yùn)動。

2.十六晶面內(nèi)聚儲能材料（電池儲能）簡介：利用碳烯措邊合成十六面晶球，形成球閃無苛空間，對外來電子產(chǎn)生對率吸納作用。在晶球吸納外來電子至飽和態(tài)時，由晶面向鄰界晶球輸出內(nèi)儲電子。鄰界晶球也是以對率吸納的形式，使內(nèi)儲鄰界晶球輸出的電子（飽和輸出），在晶球之間形成梯次輸——放電子功能。

3.泛晶材料（常溫磁、電超導(dǎo)材料）簡介：利用二維晶面材料，疊加制成nm隙的疊層結(jié)構(gòu)材料，使二維晶面材料之間形成無壘通道，對磁、電粒子不產(chǎn)生效應(yīng)阻力，在常溫條件下，無阻定向通過泛晶材料。

4.惰烯膜材料技術(shù)（表面阻熱、抗輻射材料）簡介：把惰性氣體過溫加熱，使其產(chǎn)生游離懸浮態(tài)后，速冷聚合為霧態(tài)云，緩速沉淀生成惰性負(fù)價烯膜。附于物體表面的烯膜可使該物體具有表面阻熱和抗輻射效能。 

5.納米旋毛次聲波發(fā)生器簡介：把容聲性彈性材料制成nm絨毛體，在合成軟金屬管內(nèi)，以um級等距螺旋形態(tài)，插入內(nèi)管壁面，構(gòu)成螺旋次障，在氣流吹動或毛尖放電過程中，產(chǎn)生柔性振動并釋放振動聲波。這種聲波是次聲波。

6.量子盾技術(shù)簡介：以量子簇屏效應(yīng)，對空間相量量子或相量異量子進(jìn)行等距糾纏，在量子簇屏角向范圍內(nèi)，把相量量子或相量異量子糾纏控制為同簇位量子，在等距空間構(gòu)成同簇位量子陣壘，使等距空間成為無動態(tài)量子壁，即：量子盾。量子盾技術(shù)可以讓人們越過大海如履平地。

7.乏中子材料簡介：把純中子消能后的夸克，低溫彌加堆疊成多晶面晶粒，在常溫下合成可變性素位材料。

8.三基態(tài)基因理論（人類基因種類）簡介：這是以酸、堿、鹽三種基礎(chǔ)物質(zhì)，對應(yīng)人類基因組基礎(chǔ)對稱密碼屬性種類，來確認(rèn)人類種群進(jìn)化程度的標(biāo)準(zhǔn)。人類基因組中只對應(yīng)一種基礎(chǔ)物質(zhì)的稱：單基基因，為初級進(jìn)化人類。人類基因組中對應(yīng)二種基礎(chǔ)物質(zhì)的稱：雙基基因，屬中等進(jìn)化人類。人類基因組中對應(yīng)全部基礎(chǔ)物質(zhì)的稱：三基基因，屬高級進(jìn)化人類。

9.十萬分率液體陀螺儀簡介：利用液體表面與引力絕對垂直現(xiàn)象的原理，在球形電感容器中注入混合內(nèi)聚性液體，并充入拒溶性氣體，對混合內(nèi)聚性液體施壓至容器電感原子級刻度，形成質(zhì)壓平衡原子十萬分級平顯率。

10.純晶態(tài)電子合成技術(shù)簡介：以非能量夸克對為誘子，在渦旋磁場中誘導(dǎo)磁粒子過極化，產(chǎn)生極點(diǎn)隨向性粒子堆積晶態(tài)物象，迫使極點(diǎn)隨向性粒子的貝粒子流改距，生成極性電場流，成為電子晶態(tài)合成體。

11.中微子通訊技術(shù)簡介：利用中微子可穿越98.82%物質(zhì)效應(yīng)區(qū)能力的特性，選擇2級態(tài)中微子，以數(shù)位組合信息內(nèi)容，由發(fā)生器直線定向起搏發(fā)射。接收方以氫化閃爍屏和光感接收器，按中微子觸屏閃爍數(shù)位確認(rèn)信息內(nèi)容。

12.冷光子輻射技術(shù)簡介：用一個抽真空達(dá)到0～2度的，具有定向折反射并單向透光功能的半球形全封閉容器，作為負(fù)量效應(yīng)區(qū)。在不同頻率的光子進(jìn)入效應(yīng)區(qū)后，由效應(yīng)區(qū)產(chǎn)生負(fù)量加速，使光子原速度在負(fù)量加速作用下，達(dá)到超原速效能，生成極頻內(nèi)能光子。

13.二元動差激光器簡介：把荷量相同的同性粒子，分別以低速屏聚和高速軸射的方式，在一個拋物面折（反）射體焦點(diǎn)區(qū)處，以動差連續(xù)撞擊的形式，產(chǎn)生能級越遷并反轉(zhuǎn)釋放定頻光子。

14.異氧滅活理論簡介：以改變病灶血液及腺體溶氧率，對噬氧和厭氧病毒菌種群進(jìn)行異氧殺滅。

15.金屬微泡材料制作技術(shù)簡介：在合金材料處于等溫液態(tài)狀態(tài)下，向等溫合金材料中注入氮?dú)猓S后急速降溫使合金材料帶氮冷卻固化，形成晶間微泡結(jié)構(gòu)，以提高合金強(qiáng)度及耐溫性。

16.共振筑頻原理公式解釋簡介：以結(jié)構(gòu)次點(diǎn)，壘式阻尼，相量分布，截面滯熵為共振筑頻基礎(chǔ)，以公式法解釋共振原理及計算過程。

17.粒子共性理論簡介：用粒子軛能共享效應(yīng)，解釋粒子間次能補(bǔ)償，構(gòu)成穩(wěn)定粒子組合成份，達(dá)到目標(biāo)性創(chuàng)新物質(zhì)的合成效果和依據(jù)。

18.Kt級旋射通用發(fā)動機(jī)簡介：以徑向加速的方式，把g級等離子態(tài)能量加速到白熾量子級能量，利用滯旋磁屏，把白熾量子級能量切流導(dǎo)入磁軛射流噴管，以亞光速射流形態(tài)，由單體噴口噴出，產(chǎn)生反作用推力。

19.彌電子存儲技術(shù)簡介：利用彌電子為4量子內(nèi)能粒子，對電磁信號具有點(diǎn)位陣列飽和排序功能特性，以nm級二維晶膜結(jié)構(gòu)體為基陣，對輸入信號按輸入順序，由彌電子點(diǎn)位排序積儲，每個點(diǎn)位儲量為星球級信息儲量。

20.三聚態(tài)聚變技術(shù)理論（純聚變彈理論）簡介：以凝聚態(tài)純汞在諧振能量作用下的簇點(diǎn)飽和相變，形成粒子弦壓對稱聚合，使夸克內(nèi)能弦聚變量釋放，產(chǎn)生純聚變放能效應(yīng)。

21.過態(tài)量子技術(shù)理論簡介：等荷量子在糾纏聯(lián)動過程中，荷外勢能自然趨向隨勢能跨位，形成自凝態(tài)量子，對物質(zhì)合成產(chǎn)生質(zhì)變，生成超物態(tài)變化的自變相量子。

22.裂導(dǎo)旋頻反引力技術(shù)理論簡介：磁、電場能對沖時，磁、電場對沖相量振頻界弦，以超高速旋轉(zhuǎn)形態(tài)，迫使貝粒子場流出現(xiàn)渦流分層裂隙現(xiàn)象，由分層裂隙形成的相位超導(dǎo)效應(yīng)，梯次形成反轉(zhuǎn)引力屏，對屏外自然引力產(chǎn)生排斥。

23.氣體分子成烯技術(shù)簡介：在潔凈封閉容器中充入純凈單一氣體，利用等離子加熱、靜態(tài)放電方式，完全純化氣體分子。在加熱溫度使氣體分子產(chǎn)生白熾云態(tài)時，再次向容器中充入與白熾云態(tài)氣體相同的純凈低溫氣體，快速凝化白熾云態(tài)氣體分子，在等溫狀態(tài)下結(jié)合成烯。

24.干（單）膜制氫技術(shù)簡介：把導(dǎo)電烯松綿體分解為單層網(wǎng)膜結(jié)構(gòu)，放入一個注有導(dǎo)電性質(zhì)的凈化水金屬容器中，與容器之間用凈化水隔離，在單層網(wǎng)膜一端通入微波頻率的交流電能，使單層網(wǎng)膜在凈化水中分解水氫。

25.多軸切變雷達(dá)技術(shù)（立體成像）簡介：以全角位多弦軸波圖合成原理，對測試物進(jìn)行截點(diǎn)切變?nèi)S增益測試，可使截點(diǎn)回波成像率達(dá)到99.76%立體影像。

26.納米絲晶集成電路技術(shù)簡介：在納米級半導(dǎo)體單晶絲表面，以簇點(diǎn)搭橋構(gòu)成元件，制成多相晶面組合電路，使電子形成界面飽和傳輸、存儲，形成無界層集成電路。

27.臨界粒子簇變技術(shù)簡介：以亞粒子射線轟擊待變粒子簇界面，使粒子簇位形成剪滲增變效應(yīng)，處于臨界狀態(tài)。在連續(xù)轟擊下，臨界態(tài)粒子簇不斷剪滲增變，迫使核性隨增變而產(chǎn)生瞬變，生成與原物質(zhì)性質(zhì)相反的物質(zhì)粒子。

28.質(zhì)場技術(shù)理論簡介：利用膠子力場穩(wěn)態(tài)交變特性，以加載力場的方式，使核力、磁力、引力產(chǎn)生場性互變，達(dá)到物質(zhì)力場任意轉(zhuǎn)換，互為便通的統(tǒng)一力場效應(yīng)。

29.負(fù)導(dǎo)靜磁能量技術(shù)（水下10～50萬噸排水量無聲推進(jìn)技術(shù)）簡介：利用阻磁性材料制作mm級間距等寬單向開口的陣列式阻磁隧道，在mm級間距壁面，以N極對沖磁場為效應(yīng)力場，由設(shè)置在阻磁隧道中的電磁阻尼棒，對隧道中磁能產(chǎn)生過載阻尼，以脈沖形式的過載磁能，在隧道端口進(jìn)行過載質(zhì)量磁能釋放，產(chǎn)生Mg級（單隧道）質(zhì)量磁能反作用推力。

30.量子13000km分子級分辨率實物靜動態(tài)掃描技術(shù)簡介：以屏蝕相位量子透屏顯示原理，對靜動態(tài)目標(biāo)物進(jìn)行激屏掃描測試，使屏蝕相位量子與目標(biāo)物量子發(fā)生聯(lián)動，并自動反饋聯(lián)動信息，可在13000km距離范圍內(nèi)，透屏顯示目標(biāo)物分子級靜動態(tài)幾何影像。

31.伽屏顯示技術(shù)簡介：以負(fù)價同位素基色液晶為伽屏基質(zhì)，全頻率光色同步無外能直接顯示原始影像，凈屏保真率為100%。

32.鈾繭核能技術(shù)（微型核、電瞬轉(zhuǎn)技術(shù)）簡介：把鈾與鉆石晶基體制作成繭縛結(jié)構(gòu)，在鉆石晶基體表面和端面設(shè)為正負(fù)電極，由鈾原子負(fù)盾釋放的界面核能，對鉆石晶基體形成迫容性激勵，使鉆石晶基體中的電子產(chǎn)生能壓游離，由端面電極輸出鉆石晶基體。做功后，返回鈾繭至鉆石晶基體表面，形成回路狀態(tài)。

33.極化原子及應(yīng)用技術(shù)簡介：以物質(zhì)結(jié)構(gòu)原子增減夸克產(chǎn)生極化原理，把極化夸克非對稱交極合成溢能粒子，使夸克內(nèi)能表面化，構(gòu)成交極能量結(jié)構(gòu)粒子，應(yīng)用于各種功能性及宇宙防護(hù)結(jié)構(gòu)體

34.電子異態(tài)技術(shù)理論（晶態(tài)、液態(tài)）簡介：把游離電子輸入到左旋膠子對力場后，電子在力場偏振能量作用下，1/2交變過程終止，處于失衡狀態(tài)。在力場連續(xù)作用下，電子出現(xiàn)鐘擺運(yùn)動現(xiàn)象，并逐漸減擺，成為類惰性態(tài)電子，依附在左旋膠子對近邊緩慢堆積。偶數(shù)堆積形成質(zhì)量晶態(tài)電子，素數(shù)堆積則形成質(zhì)量液態(tài)電子。

35.伽瑪浮點(diǎn)全息影像技術(shù)簡介：把伽瑪同頻潔凈效應(yīng)蒸汽充入透光容器中，在伽瑪射線粒子按程序定向進(jìn)入容器后，容器內(nèi)同頻蒸汽對外來伽瑪粒子產(chǎn)生諧頻汽凌效應(yīng)，使外來伽瑪粒子在蒸汽中連續(xù)拉長運(yùn)動頻率，逐漸成為減頻光子，懸浮在蒸汽中，與同時進(jìn)入蒸汽的外來伽瑪粒子同效構(gòu)成預(yù)設(shè)全息影像，即：伽瑪四維浮點(diǎn)全息影像。以上35種顛覆性技術(shù)，有條件的國家科研機(jī)構(gòu)和高科技企業(yè)應(yīng)該組織力量研究攻關(guān)，這樣的技術(shù)進(jìn)步一旦成熟并投入實用，必然對人類文明的發(fā)展帶來巨大的促進(jìn)。